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| 晶體定向切割方法 |
| 2014-1-13 15:53:30 閱讀次數(shù)：3384 |
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各向異性是晶體的本征特性, 即晶體在不同方向上具有不同的光學(xué)、電學(xué)、力學(xué)等物理性能, 在應(yīng)用時(shí), 根據(jù)使用目的不同, 必須對(duì)晶體進(jìn)行不同的定向切割. 例如, 要制作性能優(yōu)異的Si 壓力傳感器 , 必須利用 Si 單晶在( 001) 面上的 110 方向壓阻效應(yīng)最大的特性, 定向切割出 Si( 001) 面, 并在此面上標(biāo)出 110 方向, 在此面上, 沿著 110 方向制作電阻. AgGaSe 2 晶體. 一般采用自發(fā)成核 Bridgman 方法生長(zhǎng), 生長(zhǎng)出的晶錠無(wú)明顯方向特征, 要研究 AgGaSe 2 晶體對(duì) 粒子的探測(cè)性能, 必須定向切割出( 001) 面.
晶體定向方法很多, 如光象法 、錐光圖法、勞埃定向法 以及近年來(lái)利用定向儀發(fā)展的幾種快速定向法等. 光象法、錐光圖法應(yīng)用非常局限, 精度很差, 且無(wú)法定向切割出任意晶面. 勞埃法雖然很經(jīng)典、適用性廣, 但定向過(guò)程十分繁瑣、費(fèi)時(shí), 對(duì)操作者要求有較豐富的經(jīng)驗(yàn). 利用定向儀的幾種快速定向法, 具有較強(qiáng)的實(shí)用性, 但要定向切割出任意晶面, 其操作過(guò)程也很繁瑣.
我們發(fā)展了一種僅需已知晶體某一晶面, 即能定向切割出所需任意晶面( 或晶向) 的方法, 定向切割操作快速、準(zhǔn)確、簡(jiǎn)捷. 在實(shí)際工作中, 已知晶體的某一晶面是普遍存在的事實(shí), 例如提拉法、水溶液法、水熱法和熔鹽法生長(zhǎng)的晶體, 至少已知某一晶面. 無(wú)籽晶的焰熔法和 Bridgman 等法生長(zhǎng)的晶體一般雖無(wú)方向特征, 但因解理性是晶體的基本屬性, 很容易從晶體上得到易解理面. 焰熔法生長(zhǎng)的紅寶石極易得到其解理面( 1102) 或( 1120) , 用 Brigdman 方法生長(zhǎng)的AgGaSe2 晶體極易得到( 101) 或( 112) 解理面. 因而, 此法在實(shí)際工作中具有很強(qiáng)的實(shí)用性和推廣價(jià)值. |
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